IT之家 1 月 5 日讯息，好意思国劳伦斯利弗莫尔国度实验室（LLNL）正在研发一种基于铥元素的拍瓦（petawatt）级激光本事，该本事有望取代刻下极紫外光刻（EUV）器具中使用的二氧化碳激光器，并将光源效劳提高约十倍。这一打破可能为新一代“高出 EUV”的光刻系统铺平谈路，从而以更快的速率和更低的能耗制造芯片。

　　刻下，EUV 光刻系统的能耗问题备受和顺。以低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）EUV 光刻系统为例，其功耗折柳高达 1,170 千瓦和 1,400 千瓦。这种高能耗主要源于 EUV 系统的职责旨趣：高能激光脉冲以每秒数万次的频率挥发锡滴（50 万摄氏度），以造成等离子体并辐射 13.5 纳米波长的光。这一历程不仅需要稠密的激光基础体式和冷却系统，还需要在真空环境中进行以幸免 EUV 光被空气经受。此外，EUV 器具中的先进反射镜只可反射部分 EUV 光，因此需要更强盛的激光来提高产能。

　　IT之家守护到，LLNL 主导的“大口径铥激光”（BAT）本事旨在惩处上述问题。与波长约为 10 微米的二氧化碳激光器不同，BAT 激光器的职责波长为 2 微米，表面上偶然提高锡滴与激光相互作用时的等离子体到 EUV 光的调理效劳。此外，BAT 系统接收二极管泵浦固态本事，相较于气体二氧化碳激光器，具有更高的举座电效劳和更好的热管束能力。

　　领先，LLNL 的盘问团队策划将这种紧凑且高调换率的 BAT 激光器与 EUV 光源系统聚拢，测试其在 2 微米波长下与锡滴的相互作用恶果。LLNL 激光物理学家布伦丹 里根（Brendan Reagan）暗意：“以前五年中，咱们照旧完成了表面等离子体模拟和宗旨考据实验，为这一形态奠定了基础。咱们的职责照旧在 EUV 光刻限制产生了紧迫影响，目下咱们对下一步的盘问充满期待。”

　　关联词，将 BAT 本事诳骗于半导体分娩仍需克服紧要基础体式矫正的挑战。刻下的 EUV 系统经过数十年才得以熟练，因此 BAT 本事的实践诳骗可能需要较永劫分。

　　据行业分析公司 TechInsights 揣测，到 2030 年，半导体制造厂的年耗电量将达到 54,000 吉瓦（GW）kaiyun官方网站，高出新加坡或希腊的年用电量。要是下一代超数值孔径（Hyper-NA）EUV 光刻本事参预市集，能耗问题可能进一步加重。因此，行业对更高效、更节能的 EUV 机器本事的需求将握续增长，而 LLNL 的 BAT 激光本事无疑为这一谋略提供了新的可能性。